“这是我们的SiC（碳化硅）产品的芜湖生产基地，可年产6万片晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管。”近日，在芜湖高新区，安徽长飞先进半导体有限公司制造副总裁施锴介绍，公司专注于第三代功率半导体SiC产品的研发和制造，投资200亿元建设的武汉基地已经开工，建成后可年产36万片晶圆。
　　SiC，即碳化硅，作为一种半导体材料，有着宽禁带、高击穿电场强度和高热导率等特点，正广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、电力电网等领域。随着新能源，尤其是新能源汽车等行业快速发展，碳化硅产品的市场需求越来越大。“公司成立之初就明确了创新驱动发展的理念，依靠科技创新实现高性能高可靠性碳化硅产品的国产化，服务全球客户。”施锴说。
　　创新驱动本质上是人才驱动。“目前已搭建完整的管理和技术团队，研发、技术、产品等专业技术团队500余人，核心人员拥有15年以上的半导体研发经验。”施锴说。公司于2018年成立，2022年正式更名为“安徽长飞先进半导体有限公司”，2023年12月，长飞先进首颗自研产品1200V20ASiCSBD正式进入试产阶段，标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。
　　“2023年6月，我们完成了超38亿元的A轮股权融资，创下国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最。同年，公司与奇瑞汽车签署了‘汽车芯片联合实验室’战略合作协议，并被评为‘独角兽企业’。”施锴说。
　　自成立以来，长飞先进始终聚焦于碳化硅功率半导体产品研发及制造，秉持“生产一代、研发一代、储备一代、预研一代”的研发战略，不断加强关键核心技术和创新突破，实现产品良率及可靠性稳步提升，助力国产碳化硅产业快速发展。
　　“一般来说，产品自研发到面向市场通常得花上12个月以上的时间。”施锴说，除去性能开发，测试环节也很重要。“关键性能要做测试，还得做上车验证等等，不同批次的产品也要做相应的测试”。
　　长飞先进建立了全产业链技术平台，涵盖了外延生长、器件设计、晶圆制造、模块封测等全流程研发技术。目前，长飞先进主要采用平面型SiCMOSFET主流技术。据了解，平面型技术结构一致性更优，可靠性也得到了验证，同时公司也在不断针对平面型技术进行优化，比如通过新工艺新产品开发，与主机厂联合定制化开发等，不断提高产品技术水平，以满足新能源汽车客户现有的以及下一代产品的需求。此外，公司还成功开发并具备了烧结银工艺能力，同时也在布局沟槽型技术，包括沟槽型工艺技术产品的开发以及专利布局等。2023年，公司研发投入占营收的比例超过40%。
　　近年来，芜湖市以汽车电子、5G通信、工业级功率器件等下游应用领域为支撑，重点发展集成电路细分领域中的宽禁带半导体产业，不断加快新兴产业布局，成为全省第三代半导体重要的创新高地和生产基地。
　　“随着营商环境不断优化，我们越做越有劲头。”谈及未来，施锴说，碳化硅的市场潜力还远未被挖掘，未来3年至5年内，新能源汽车仍将是碳化硅器件最重要的市场，企业正迎来前所未有的发展机遇。
　　（阮孟玥）