日前，从安徽大学传来消息，近期，该校物科院新型磁性材料与存储器件研究团队在一种特定磁性材料中发现了拓扑磁结构从磁孤子向磁斯格明子的拓扑相变，为基于拓扑磁结构的磁存储器设计提供了新的思路。相关研究成果发表在国际著名期刊《先进材料》上。
　　未来信息领域的中心问题就是存储，只有存储容量的不断增大，才能满足信息社会高速发展的需要。磁存储是当今信息存储的主要方式。磁性材料中的拓扑磁结构是构筑新型磁存储器的基本单元。拓扑磁结构的形成和构型是由材料的晶体结构和化学成分所决定的，因此对于某种确定的材料体系，磁结构也是确定的。然而，利用不同类型的磁结构去记录数据信息，不仅能够简化存储器件的设计，对于提高器件的稳定性和可控性也是十分必要的。因此，在磁性材料中寻找多种拓扑磁结构对于器件的设计具有实际意义。
　　针对这一问题，研究团队在一种特定磁性材料中，通过制备纳米尺度的条带结构，对其拓扑磁结构磁孤子的两端进行调制，打破了材料晶体结构对磁结构的限制，实现了磁孤子向磁斯格明子的拓扑相变。实验和理论分析也很好解释了这种磁结构转换的物理机制。这一发现不仅丰富了拓扑磁结构家族，对于构筑新型磁电子学器件具有重要意义。
　　（陈婉婉）