11月21日，在合肥市中国电子科技集团公司第三十八研究所（以下简称“中国电科38所”），技术人员们正在加班加点地研发生产芯片。该所研发的一款射频前端芯片及组件，在日前召开的安徽省科学技术奖励大会上，荣获省技术发明奖一等奖。该芯片突破了CMOS射频集成电路设计中低噪声放大器、高精度移相器、低功耗正交混频器、宽温增益补偿等多项关键技术，其一体化射频前端电路设计达到国际先进水平，具有自主可控、集成度高和低成本等优势，此项技术发明可广泛应用于5G通讯、卫星通讯、气象雷达等国民经济生活领域，也可以应用于大型科技装备。
　　当今，为了实现无线信号无缝覆盖，无线通讯基站部署密度将更高，成本和能耗问题一直是数量众多的基站射频前端面临的瓶颈问题之一。同时，在大型国防科技装备中射频系统通常基于多个分立的化合物芯片实现，难以满足小型化、集成化、低成本的需求，特别是大型相控阵雷达，成千上万的射频前端一直是制约设备性能、体积和成本的关键因素。CMOS工艺具有高集成、低成本和低功耗等优势，然而却一直面临射频性能难以提升、设计难度大等挑战。
　　如何在CMOS工艺这条原来的赛道上实现超车？中国电科38所射频芯片团队自2012年起，就瞄准市场需求，结合集成电路内在属性，发挥专业优势，奋力实现核心技术创新与自主可控。通过多年关键技术攻关，该团队提出多种新的基于噪声抵消和电流复用技术的低噪声放大器电路拓扑结构，提升CMOS电路噪声性能；发明一种温度自适应和电流复用正交混频电路，实现收发链路宽温增益起伏补偿，降低了电路功耗，解决了CMOS工艺宽温增益起伏大的问题；发明一种高精度有源移相器及一体化收发切换电路，为CMOS工艺上高性能移相器和收发开关提供了有效的解决办法，解决了CMOS工艺无源器件损耗大等难题，突破了多项技术瓶颈，完成了成果转化，实现了自主可控。该技术发明获授权发明专利20项，在国际集成电路和微波领域高水平期刊T-CASI和T-TAP等发表论文13篇。
　　从追赶到超越，从黑暗到破晓。中国电科38所射频芯片团队将深入学习贯彻党的二十大精神，牢记“国之大者”，强化使命担当，聚焦前沿关键技术进行攻关突破，持续加强芯片研制及应用开发，切实把科技创新成果转化为推进科技事业发展的强大源动力，为推进中国式现代化贡献智慧和力量。 （安徽科技报全媒体记者黄文静）